RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
3559
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link