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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
29
读取速度,GB/s
14.9
18.2
写入速度,GB/s
10.6
15.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3559
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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