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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.3
18.4
写入速度,GB/s
9.1
17.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3738
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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