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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
19
读取速度,GB/s
16.1
20.0
写入速度,GB/s
10.1
17.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3499
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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