RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
25
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
19
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3499
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link