RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
19
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3499
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link