RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
39
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2574
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link