RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
31
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
3317
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link