RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3693
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link