RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3592
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link