RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kllisre 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
77
Autour de -67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2349
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link