RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kllisre 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kllisre 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
77
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2349
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link