RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3446
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link