RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3294
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link