RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3294
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link