RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
63
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
63
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2543
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link