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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
63
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
63
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2543
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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