RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
38
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3032
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link