RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2955
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link