RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
38
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
21
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2769
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link