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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
21
读取速度,GB/s
15.5
18.0
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2769
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
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