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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
13.0
16.2
写入速度,GB/s
8.2
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
3148
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
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Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
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Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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