RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3876
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link