RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3876
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link