RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3876
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link