RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2619
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link