RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2619
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link