RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3845
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link