RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3845
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link