RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
38
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3070
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link