RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3070
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link