RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2910
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link