RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
1989
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link