RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1989
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link