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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
38
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3054
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
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