RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
45
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2701
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link