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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A-H9 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A-H9 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A-H9 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
41
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A-H9 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
2316
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A-H9 8GB Comparaison des RAM
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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