RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3510
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link