RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2271
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link