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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2271
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparações de RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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