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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
32
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
32
Velocità di lettura, GB/s
12.1
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2271
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
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