RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
77
Por volta de -208% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2680
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link