RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
45
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2221
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link