RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
45
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
39
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2221
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link