RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3134
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link