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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

总分
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 45
    左右 -36% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.9 left arrow 11.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 16.9
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 13.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2077 left arrow 3134

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较

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最新比较

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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
内存RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
内存RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
内存RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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