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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
87
左右 -314% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
21
读取速度,GB/s
3,155.6
18.6
写入速度,GB/s
870.4
14.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3062
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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