RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
45
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2740
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link