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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
11.9
15.2
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2740
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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