RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
45
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3007
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link