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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
45
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
3007
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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